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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MMBT5550 +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Hersteller:

Rectron
Herstellerteil #:

MMBT5550
Datenblatt:

MMBT5550 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

140 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMBT5550

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

This device is designed for general purpose high voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

Anwendung

This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	140 V	Collector- Base Voltage VCBO	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	600 mA	Pd - Power Dissipation	225 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	600 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	60
DC Current Gain hFE Max	250	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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