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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MMUN2232LT1G +BOM

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

MMUN2232LT1G
Datenblatt:

MMUN2232LT1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

318-08
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MMUN2232LT1G

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

MMUN2232LT1G Allgemeine Beschreibung

With the MMUN2232LT1G, designers can enjoy the benefits of enhanced efficiency and compactness. This innovative transistor not only optimizes board space by consolidating multiple components into a single package but also offers improved functionality compared to traditional discrete solutions. By leveraging the BRT technology, manufacturers can achieve greater design flexibility and cost savings without compromising on performance

Hauptmerkmale

Supports High-Speed Data Transfer
Enhances Security Features
Leverages Low Power Mode

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	318-08
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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