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Siehe Technische Spezifikationen

NE5531079A-T1-A +BOM

RF MOSFET Transistors Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

NE5531079A-T1-A
Datenblatt:

NE5531079A-T1-A Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

30 V

NE5531079A-T1-A Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 7.5 V 200 mA 460MHz 40dBm 79A

Spezifikationen

Product Category:	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Id - Continuous Drain Current:	3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V	Operating Frequency:	460 MHz
Gain:	20.5 dB	Output Power:	40 dBm
Maximum Operating Temperature:	+ 125 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Tape	Configuration:	Single
Pd - Power Dissipation:	35 W	Product Type:	RF MOSFET Transistors
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	LDMOS FET
Type:	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage:	6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.15 V

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