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Siehe Technische Spezifikationen

NESG2030M04-T2-A +BOM

RF Transistor NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Surface Mount M04

Hersteller:

CEL
Herstellerteil #:

NESG2030M04-T2-A
Datenblatt:

NESG2030M04-T2-A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

2.3V
Frequency - Transition:

60GHz
Noise Figure (dB Typ @ F):

0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

NESG2030M04-T2-A Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Surface Mount M04

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	2.3V	Frequency - Transition	60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz	Gain	16dB
Power - Max	80mW	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)	35mA	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	NESG2030

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