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Siehe Technische Spezifikationen

NTE123A +BOM

Described as a TO-18 package, NTE123A is a NPN bipolar transistor, offering a maximum voltage of 40 volts and power dissipation of 1

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE123A
Datenblatt:

NTE123A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 50mA, 500mA

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Tel: +852 95804164

NTE123A Allgemeine Beschreibung

In terms of specifications, the NTE123A can handle a maximum power dissipation of 500mW and can operate at temperatures up to 150 degrees Celsius. With a gain bandwidth product of 400MHz and a maximum collector current of 800mA, this transistor offers reliable and efficient performance for a wide range of electronic projects

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	800 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA	Current - Collector Cutoff (Max)	10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V	Power - Max	1.2 W
Frequency - Transition	300MHz	Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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Bewertungen und Rezensionen

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C**b 01.20.2023

It came very quickly, but the mail did not send a notice. I got the track number. Everything is a whole, less than i expected, it's good. Until i checked

J**b 01.16.2022

Put in battery screwdriver and unsubscribe

J**h 11.23.2021

I do not know whether the capacity corresponds, but one charge was enough to capture one plate to 18650.from 0-2.7 v charged for about 5 minutes.