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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTE256 +BOM

High-performance Darlington transistors for demanding applications

Hersteller:

Nte Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE256
Datenblatt:

NTE256 Datenblatt (PDF)
Packaging:

Bag
Transistor Type:

NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
EDA/CAD Modelle:

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NTE256 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 28 A 150 W Through Hole TO-218

Spezifikationen

Packaging	Bag	Part Status	Active
Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	5V @ 5.6A, 28A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10A, 5V
Power - Max	150 W	Operating Temperature	175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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