Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTE389 +BOM

High-power amplifier transistor with high voltage and current capabilitie

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

NTE389
Datenblatt:

NTE389 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
Case Connection:

COLLECTOR
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTE389

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NTE389 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 750 V 4 A 4MHz 100 W Through Hole TO-3

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	4 A
Collector-Emitter Voltage-Max	750 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	5	JEDEC-95 Code	TO-3
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation Ambient-Max	100 W
Power Dissipation-Max (Abs)	100 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	4 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..