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Siehe Technische Spezifikationen

PBSS2515VS,115 +BOM

NPN low V double transistor in a SOT666 ultra small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS3515VS

Hersteller:

NEXPERIA
Herstellerteil #:

PBSS2515VS,115
Datenblatt:

PBSS2515VS,115 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

SOT-666
Produktart:

Bipolar Transistors - BJT
Lebenszyklus:

NRND
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS2515VS,115

PBSS2515VS,115 Allgemeine Beschreibung

NPN low V double transistor in a SOT666 ultra small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS3515VS

Hauptmerkmale

300 mW total power dissipation
Very small 1.6 x 1.2 mm ultra thin package
Excellent coplanarity due to straight leads
Low collector-emitter saturation voltage
High current capability
Improved thermal behavior due to flat lead
Replaces two SC-75/SC-89 packaged low VCEsat transistors on same PCB area
Reduces required PCB area
Reduced pick and place costs

Anwendung

General purpose switching and muting
Low frequency driver circuits
Audio frequency general purpose amplifier applications
Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices)

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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