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Siehe Technische Spezifikationen

PBSS4160PANP-QX +BOM

Bipolar Transistors - BJT PBSS4160PANP-Q/SOT1118/HUSON6

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PBSS4160PANP-QX
Datenblatt:

PBSS4160PANP-QX Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS4160PANP-QX

PBSS4160PANP-QX Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 175MHz, 125MHz 370mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	185 mV
Maximum DC Collector Current	1.5 A	Pd - Power Dissipation	2 W
Gain Bandwidth Product fT	125 MHz, 175 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	70 at 1A, 2 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	934664884115

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