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Siehe Technische Spezifikationen

PBSS4130PAN,115 +BOM

30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PBSS4130PAN,115
Datenblatt:

PBSS4130PAN,115 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS4130PAN,115

PBSS4130PAN,115 Allgemeine Beschreibung

NPN/NPN low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.

Hauptmerkmale

Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain hFE at high IC
Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Load switch
Battery-driven devices
Power management
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	30 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	150 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	2 W
Gain Bandwidth Product fT	165 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	240	DC Current Gain hFE Max	370
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	934066879115	Unit Weight	0.000250 oz

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