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PD55003L-E +BOM

RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD55003L-E Allgemeine Beschreibung

In conclusion, PD55003L-E stands out as a versatile and high-performance RF power transistor, offering unmatched gain, linearity, and reliability. Its advanced technology and innovative design make it a valuable asset for any project requiring top-tier RF power components. Upgrade your systems with PD55003L-E and experience the difference in performance and reliability

Hauptmerkmale

  • Fine pitch leads
  • Miniaturized design
  • SMT compatible

Spezifikationen

Source Content uid PD55003L-E Part Life Cycle Code Active
Pin Count 5 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 52 Weeks
Additional Feature HIGH RELIABILITY Application AMPLIFIER
Case Connection SOURCE Configuration SINGLE
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Highest Frequency Band ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 Code S-PQCC-N5 Moisture Sensitivity Level 3
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form NO LEAD Terminal Position QUAD
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

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