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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PMEG3050EP +BOM

NXP Semiconductors

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PMEG3050EP
Datenblatt:

PMEG3050EP Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.80
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMEG3050EP

PMEG3050EP Allgemeine Beschreibung

Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD128 small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Hauptmerkmale

Average forward current: IF(AV) ≤ 5 A
Reverse voltage: VR ≤ 30 V
Low forward voltage
High power capability due to clip-bond technology
Small and flat lead SMD plastic package
Suitable for both reflow and wave soldering

Anwendung

Low voltage rectification
High efficiency DC-to-DC conversion
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Reverse polarity protection
Low power consumption applications

Spezifikationen

Source Content uid	PMEG3050EP	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.80	Date Of Intro	2017-02-01
Application	EFFICIENCY	Configuration	SINGLE
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	RECTIFIER DIODE
JESD-30 Code	R-PDSO-F2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Non-rep Pk Forward Current-Max	70 A
Number of Elements	1	Number of Phases	1
Number of Terminals	2	Operating Temperature-Max	150 °C
Output Current-Max	5 A	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Dissipation-Max	0.625 W	Reference Standard	IEC-60134
Surface Mount	YES	Technology	SCHOTTKY
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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