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PMEG6030EP Small Outline Diode Flat Lead

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PMEG6030EP +BOM

NXP Semiconductors

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PMEG6030EP
Datenblatt:

PMEG6030EP Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.80
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMEG6030EP

PMEG6030EP Allgemeine Beschreibung

Planar Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD128 small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Hauptmerkmale

Average forward current: IF(AV) ≤ 3 A
Reverse voltage: VR ≤ 60 V
Low forward voltage
High power capability due to clip-bond technology
Small and flat lead SMD plastic package
Suitable for both reflow and wave soldering
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Low voltage rectification
High efficiency DC-to-DC conversion
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Reverse polarity protection
Low power consumption applications

Spezifikationen

Source Content uid	PMEG6030EP	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.80	Date Of Intro	2017-02-01
Application	EFFICIENCY	Configuration	SINGLE
Diode Element Material	SILICON	Diode Type	RECTIFIER DIODE
Forward Voltage-Max (VF)	0.53 V	JESD-30 Code	R-PDSO-F2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Non-rep Pk Forward Current-Max	50 A	Number of Elements	1
Number of Phases	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Output Current-Max	3 A	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Power Dissipation-Max	0.625 W	Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134
Rep Pk Reverse Voltage-Max	60 V	Reverse Current-Max	200 µA
Surface Mount	YES	Technology	SCHOTTKY
Terminal Finish	Tin (Sn)	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	20

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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