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PMP4201V +BOM

NXP Semiconductors

PMP4201V Allgemeine Beschreibung

NPN/NPN matched double transistor in an ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The transistors in the SOT666 package are fully isolated internally.NPN/NPN hFE1/hFE2 0.95 complement: PMP4501VPNP/PNP complement: PMP5201V

Hauptmerkmale

  • Current gain matching
  • Base-emitter voltage matching
  • Application-optimized pinout

Anwendung

  • Current mirror
  • Differential amplifier

Spezifikationen

Source Content uid PMP4201V Part Life Cycle Code Transferred
Pin Count 6 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 0.1 A Collector-Emitter Voltage-Max 45 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS DC Current Gain-Min (hFE) 200
JESD-30 Code R-PDSO-F6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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