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Siehe Technische Spezifikationen

PN4117 +BOM

JFET N-Channel 40 V 350 mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

InterFET
Herstellerteil #:

PN4117
Datenblatt:

PN4117 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PN4117

PN4117 Allgemeine Beschreibung

JFET N-Channel 40 V 350 mW Through Hole TO-92-3

Hauptmerkmale

Low Leakage
Low Capacitance

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	10 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	40 V	Gate-Source Cutoff Voltage	1.8 V
Drain-Source Current at Vgs=0	90 uA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Series	PN4117	Forward Transconductance - Min	210 uS
Product Type	JFETs	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Type	JFET
Unit Weight	0.016000 oz

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