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Siehe Technische Spezifikationen

PN918 +BOM

RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 350mW Through Hole TO-92-3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

PN918
Datenblatt:

PN918 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

600 MHz
EDA/CAD Modelle:

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PN918 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 350mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Series	PN918
Transistor Type	Bipolar	Technology	Si
Transistor Polarity	NPN	Operating Frequency	600 MHz
DC Collector/Base Gain hfe Min	20	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	15 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 V	Continuous Collector Current	50 mA
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single	Mounting Style	Through Hole
Collector- Base Voltage VCBO	30 V	DC Current Gain hFE Max	20 at 3 mA at 1 V
Gain Bandwidth Product fT	600 MHz (Min)	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Maximum DC Collector Current	50 mA
Pd - Power Dissipation	350 mW	Product Type	RF Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Type	RF Bipolar Small Signal	Width	4.19 mm
Unit Weight	0.007090 oz

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