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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PSMN020-150W +BOM

MOSFET designed for rail power distribution

Hersteller:

Nxp
Herstellerteil #:

PSMN020-150W
Datenblatt:

PSMN020-150W Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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PSMN020-150W Allgemeine Beschreibung

N-Channel 150 V 73A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247

Hauptmerkmale

’Trench’ technology
Very low on-state resistance
Fast switching
Low thermal resistance

Anwendung

d.c. to d.c. converters
switched mode power supplies

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Id - Continuous Drain Current	73 A	Rds On - Drain-Source Resistance	20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	300 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	101 ns	Height	21.4 mm
Length	16.2 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	79 ns	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	233 ns	Typical Turn-On Delay Time	34 ns
Width	5.2 mm	Part # Aliases	PSMN020-150W,127
Unit Weight	0.211644 oz

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