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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QS8K13TCR +BOM

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

QS8K13TCR
Datenblatt:

QS8K13TCR Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss):

30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

6A
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QS8K13TCR Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 10V
Power - Max	550mW	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	QS8K13

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