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RE1C001ZPTL +BOM

Transistor MOSFET P-CH 20V 100mA 3-Pin SC-89 Emboss T/R

RE1C001ZPTL Allgemeine Beschreibung

Featuring P-channel transistor polarity, the RE1C001ZPTL MOSFET is a versatile component with a drain source voltage of -20V and a continuous drain current of -100mA. Its on resistance of 2.5ohm and threshold voltage of -1V make it ideal for low power applications. With a power dissipation of 150mW and the SC-89 case style, this MOSFET is designed for reliable performance in electronic circuits up to 150°C

Rohm Semiconductor Inventar

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA Vgs (Max) ±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number RE1C001

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