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Siehe Technische Spezifikationen

RE1E002SPTCL +BOM

Product description: 30V 250mA rated P Channel SOT-416 MOSFETs with a resistance of 1

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

RE1E002SPTCL
Datenblatt:

RE1E002SPTCL Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

250mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

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RE1E002SPTCL Allgemeine Beschreibung

In addition to its technical specifications, the RE1E002SPTCL transistor offers enhanced reliability and longevity due to its halogen-free composition and RoHS compliance. By eliminating harmful substances and adhering to strict environmental standards, this transistor contributes to sustainable manufacturing practices and reduces the impact on the ecosystem. Furthermore, its EMT3F package design with three pins allows for easy integration into existing circuit layouts, saving time and effort during production and assembly processes

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	150mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RE1E002

Servicerichtlinien und andere

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