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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RF4L070BGTCR +BOM

High-power switching device ideal for DC-DC converters and motor control application

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RF4L070BGTCR
Datenblatt:

RF4L070BGTCR Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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RF4L070BGTCR Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S

Spezifikationen

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Continuous Drain Current:	7 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Qg - Gate Charge:	7.6 nC	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	2 W
Channel Mode:	Enhancement	Packaging:	Cut Tape
Configuration:	Single	Fall Time:	4.4 ns
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	5.7 ns
Factory Pack Quantity:	3000	Subcategory:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns	Typical Turn-On Delay Time:	8.7 ns
Part # Aliases:	RF4L070BG

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