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Siehe Technische Spezifikationen

RFP8N20 +BOM

N-Channel MOSFET for Power

Hersteller:

Harris Corporation
Herstellerteil #:

RFP8N20
Datenblatt:

RFP8N20 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

8A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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RFP8N20 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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