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Siehe Technische Spezifikationen

RGW60TS65DGC11 +BOM

650V 60A N-Channel IGBT Chip TO-247N Tube

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

RGW60TS65DGC11
Datenblatt:

RGW60TS65DGC11 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

650 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 178 W Through Hole TO-247N

Hauptmerkmale

Low Collector - Emitter Saturation Voltage
High Speed Switching
Low Switching Loss & Soft Switching
Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 30 V, 30 V	Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Pd - Power Dissipation	178 W	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Gate-Emitter Leakage Current	200 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Part # Aliases	RGW60TS65D

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L**n 11.18.2020

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