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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RJK0451DPB-00#J5 +BOM

N-channel Silicon MOSFET Transistor with 40V 35A Capacity in LFPAK Package

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

RJK0451DPB-00#J5
Datenblatt:

RJK0451DPB-00#J5 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

35A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RJK0451DPB-00#J5

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RJK0451DPB-00#J5 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 40 V 35A (Ta) 45W (Tc) Surface Mount LFPAK

Hauptmerkmale

Fast switching speed
Low gate drive current
Precise control needed
High density mounting space
Low on-resistance required
Pb-free and halogen-free design

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2010 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RJK0451

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