Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RJK2075DPA-00#J5A +BOM

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

RJK2075DPA-00#J5A
Datenblatt:

RJK2075DPA-00#J5A Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

20A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RJK2075DPA-00#J5A

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

RJK2075DPA-00#J5A Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 20A (Ta) 65W (Ta) Surface Mount WPAK(3F) (5x6)

Hauptmerkmale

Ultra-low capacitance
Fast switching speed
Low voltage drop

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	65W (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RJK2075	Product Category	MOSFET
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	20 A	Rds On - Drain-Source Resistance	54 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	38 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	65 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	34 ns	Height	mm
Length	mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	33 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	49 ns	Typical Turn-On Delay Time	24 ns
Width	mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..