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RN1107,LF(CT +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

RN1107,LF(CT
Datenblatt:

RN1107,LF(CT Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Typical Input Resistor:

10 kOhms
Typical Resistor Ratio:

0.213
Mounting Style:

SMD/SMT

RN1107,LF(CT Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	10 kOhms	Typical Resistor Ratio	0.213
Mounting Style	SMD/SMT	DC Collector/Base Gain hfe Min	80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	100 mW	Series	RN1107
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Unit Weight	0.000212 oz

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