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Siehe Technische Spezifikationen

RN1131MFV(TL3,T) +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

RN1131MFV(TL3,T)
Datenblatt:

RN1131MFV(TL3,T) Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Typical Input Resistor:

100 kOhms
Mounting Style:

SMD/SMT

RN1131MFV(TL3,T) Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Typical Input Resistor	100 kOhms
Mounting Style	SMD/SMT	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	150 mW	Series	RN1131MFV
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	100 mA
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity	8000
Subcategory	Transistors

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