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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RN1306(TE85L,F) +BOM

High-gain amplifier for low-frequency applications, suitable for industrial control systems

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

RN1306(TE85L,F)
Datenblatt:

RN1306(TE85L,F) Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Typical Input Resistor:

4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:

0.1

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen RN1306(TE85L,F)-Treiber von Toshiba an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung RN1306(TE85L,F).

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	0.1	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	80	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA	Peak DC Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	100 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	RN1306
DC Current Gain hFE Max	80	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	6000	Subcategory	Transistors
Width	1.25 mm

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