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Siehe Technische Spezifikationen

RZF013P01TL +BOM

Power MOSFET with Efficient 1.5V Drive

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RZF013P01TL
Datenblatt:

RZF013P01TL Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RZF013P01TL

RZF013P01TL Allgemeine Beschreibung

Product RZF013P01TL stands out for its innovative design and advanced features that make it a top choice for those looking to optimize their energy usage. The MOSFETs included in this product are specially crafted to provide exceptional performance while ensuring minimal power consumption, making them ideal for use in a variety of mobile devices. Whether you require a compact design for space-saving purposes, a high-power option for demanding applications, or a complex configuration for specialized projects, this product has you covered

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Id - Continuous Drain Current	1.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	260 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 10 V, + 10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	300 mV
Qg - Gate Charge	2.4 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	800 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	RZF013P01
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Height	0.85 mm	Length	2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.7 mm
Part # Aliases	RZF013P01	Unit Weight	0.000212 oz

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