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Siehe Technische Spezifikationen

RZR040P01TL +BOM

MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

RZR040P01TL
Datenblatt:

RZR040P01TL Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RZR040P01TL

RZR040P01TL Allgemeine Beschreibung

The RZR040P01TL 1.5V Drive Pch MOSFET is a cutting-edge power MOSFET designed to deliver high performance in a wide range of applications. Utilizing advanced micro-processing technologies, this MOSFET boasts low ON-resistance, ensuring efficient power transmission with minimal losses. Whether you require a compact type for space-constrained installations, a high-power type for demanding applications, or a complex type for specialized projects, the RZR040P01TL has you covered. Its broad lineup offers versatility to meet the diverse needs of the market, making it a reliable choice for engineers and manufacturers alike

Hauptmerkmale

Low ON-resistance
High power package
1.5V Low drive voltage

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2350 pF @ 6 V
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	RZR040

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