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Siehe Technische Spezifikationen

SGB15N120 +BOM

High-voltage, high-current IGBT transistor for industrial power system

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SGB15N120
Datenblatt:

SGB15N120 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SGB15N120

SGB15N120 Allgemeine Beschreibung

With a comprehensive IGBT portfolio, Infineon caters to a wide range of industries and applications. From general purpose inverters to solar inverters, UPS, rice cookers, welding, and SMPS segments, the SGB15N120 is a versatile choice for various power electronics needs. Its versatility and wide-ranging capabilities make it a valuable asset for engineers and designers in diverse fields

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	SGB15N120
Continuous Collector Current Ic Max	30 A	Height	4.4 mm
Length	10.25 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	IGBTs
Width	9.9 mm	Part # Aliases	SGB15N12XT SP000012560 SGB15N120ATMA1
Unit Weight	0.068654 oz

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