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Siehe Technische Spezifikationen

SGS5N150UFTU +BOM

SGS5N150UFTU details the characteristics of IGBT transistors known as SGS10N60RUFD1TU

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

SGS5N150UFTU
Datenblatt:

SGS5N150UFTU Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.5 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SGS5N150UFTU

SGS5N150UFTU Allgemeine Beschreibung

IGBT 1500 V 10 A 50 W Through Hole TO-220F-3

Hauptmerkmale

High Speed Switching
Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.7 V @ IC = 5A
High Input Impedance

Anwendung

Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.5 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	4.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	10 A
Pd - Power Dissipation	50 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	SGS5N150UF
Continuous Collector Current	10 A	Continuous Collector Current Ic Max	10 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 100 nA	Height	9.19 mm
Length	10.16 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	IGBTs
Width	4.7 mm	Part # Aliases	SGS5N150UFTU_NL
Unit Weight	0.080072 oz

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