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Siehe Technische Spezifikationen

SGH40N60UFTU +BOM

IGBT 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-3P

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

SGH40N60UFTU
Datenblatt:

SGH40N60UFTU Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SGH40N60UFTU

SGH40N60UFTU Allgemeine Beschreibung

ON Semiconductor’s UF series IGBTs provide low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as general inverter and PFC where high speed switching is required feature.

Hauptmerkmale

20A, 600V @ T_C = 100°C
Low Saturation Voltage : V_CE(sat) = 2.1 V @ I_C = 20A
Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 175ns at T_J = 150°C
High Input Impedance

Anwendung

Other Industrial

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2.1 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	40 A	Pd - Power Dissipation	160 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SGH40N60UF	Continuous Collector Current	40 A
Continuous Collector Current Ic Max	40 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 100 nA
Height	18.9 mm	Length	15.8 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Width	5 mm
Unit Weight	0.225789 oz

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