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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

Si8824EDB-T2-E1 +BOM

MOSFET 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Hersteller:

Vishay Intertechnology, Inc
Herstellerteil #:

Si8824EDB-T2-E1
Datenblatt:

Si8824EDB-T2-E1 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Si8824EDB-T2-E1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 20 V 2.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Vishay Intertechnology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	TrenchFET®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI8824

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