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Siehe Technische Spezifikationen

SKP10N60A +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor SKP10N60A

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SKP10N60A
Datenblatt:

SKP10N60A Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

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SKP10N60A Allgemeine Beschreibung

IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Through Hole PG-TO220-3-1

Hauptmerkmale

600V breakdown voltage
10A continuous drain current
Low on-state resistance
Fast switching speed
Low gate charge
High ruggedness

Anwendung

Reliable in industrial use
Great for lighting projects
Ideal for power supplies

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKP10N60	Continuous Collector Current Ic Max	20 A
Height	9.25 mm	Length	10 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	IGBTs	Width	4.4 mm
Part # Aliases	SKP10N60AXK SP000683144 SKP10N60AXKSA1	Unit Weight	0.211644 oz

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