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Siehe Technische Spezifikationen

SKW07N120 +BOM

125W Insulated Gate Bipolar Transistor with Non-Punch Through Technology

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SKW07N120
Datenblatt:

SKW07N120 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SKW07N120

SKW07N120 Allgemeine Beschreibung

The unparalleled combination of a fast switching speed and low gate charge in the SKW07N120 power MOSFET transistor enables high-frequency operation and reduces switching losses, effectively enhancing the efficiency and performance of the applications it serves. Housed in a TO-247 package, the transistor also offers excellent thermal conductivity for effective heat dissipation, ensuring optimal operating temperatures and increased reliability

Hauptmerkmale

Suitable for high-frequency applications
Low VCE(sat) for high efficiency
Easy installation with a single screw
Improved thermal management

Anwendung

Energy solutions
Power control
Heating systems

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKW07N120	Continuous Collector Current Ic Max	16.5 A
Height	20.95 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SKW07N120XK SP000012569 SKW07N120FKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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R**d 11.21.2023

I was surprised Ankara TURKEY arrived in 9 days. It reached very fast. Thank you to seller or. Hope it works smoothly.

M**r 10.12.2021

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L**m 09.21.2021

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B**n 09.12.2021

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