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Siehe Technische Spezifikationen

STAC2942B +BOM

350W - 50V HF/VHF DMOS in STAC244 Boltdown package

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STAC2942B
Datenblatt:

STAC2942B Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Id - Continuous Drain Current:

40 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

130 V

STAC2942B Allgemeine Beschreibung

Meet the STAC2942B RF MOSFET - a cutting-edge transistor for high-power RF applications. Boasting a 130V drain-source voltage, 40A continuous drain current, and a whopping 625W power dissipation capability, this transistor is a powerhouse in a compact 4-pin package. The STAC244B RF transistor case ensures optimal thermal performance, allowing for reliable operation at frequencies up to 250MHz. With no SVHC substances and a wide operating temperature range, the STAC2942B offers peace of mind along with top-notch RF performance

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	40 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	130 V	Operating Frequency	250 MHz
Gain	21 dB	Output Power	450 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Dual	Forward Transconductance - Min	5 S
Height	5.33 mm	Length	34.04 mm
Pd - Power Dissipation	625 W	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	STAC2942B	Factory Pack Quantity	20
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V	Width	9.78 mm
Unit Weight	0.074075 oz

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