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Siehe Technische Spezifikationen

STD840DN40 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 400V 4A 3W Through Hole 8-DIP

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STD840DN40
Datenblatt:

STD840DN40 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD840DN40

STD840DN40 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 400V 4A 3W Through Hole 8-DIP

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	700 V
Emitter- Base Voltage VEBO	18 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Pd - Power Dissipation	3 W
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	STD840DN40
Continuous Collector Current	4 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	8
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.080001 oz

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