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Siehe Technische Spezifikationen

STP20NM60 +BOM

TO-220 package houses a high-performance N-channel 600V MOSFET, boasting 0.25 ohm resistance and 20A current capacity

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

STP20NM60
Datenblatt:

STP20NM60 Datenblatt (PDF)
Operating Temp Min Celsius:

-55.0
Operating Temp Max Celsius:

150.0
ECCN US:

EAR99
ECCN EU:

NEC
EDA/CAD Modelle:

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STP20NM60 Allgemeine Beschreibung

The STP20NM60 Power MOSFET introduces a groundbreaking approach to power semiconductor technology with its innovative MDmesh™ design. By integrating a multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout, this product offers exceptional performance advantages. With a low on-resistance, high dv/dt, and excellent avalanche characteristics, the STP20NM60 demonstrates superior capabilities in the field. Through the utilization of the company's unique strip technique, this Power MOSFET delivers unmatched dynamic performance, surpassing the offerings of competitors in the market

Hauptmerkmale

High dv/dt and avalanche capabilities
Low input capacitance and gate charge
100% avalanche tested
Low gate input resistance

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Operating Temp Min Celsius	-55.0	Operating Temp Max Celsius	150.0
ECCN US	EAR99	ECCN EU	NEC
Packing Type	Tube	Grade	Industrial

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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