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Siehe Technische Spezifikationen

THGAMRG9T23BAIL +BOM

512G-bit TLC NAND Flash Serial e-MMC with 153-Pin FBGA

Hersteller:

Kioxia
Herstellerteil #:

THGAMRG9T23BAIL
Datenblatt:

THGAMRG9T23BAIL Datenblatt (PDF)
Series:

THGAM
Memory Size:

64 GB
Configuration:

TLC
Supply Voltage - Min:

2.7 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an THGAMRG9T23BAIL

THGAMRG9T23BAIL Allgemeine Beschreibung

Toshiba's THGAMRG9T23BAIL chip is not only powerful in terms of performance but also compact and adaptable. Its BGA package ensures reliable integration into a wide array of electronic devices, while its compatibility with standard NAND flash interfaces makes it a versatile option for product developers across various industries. Whether it's for consumer electronics, enterprise storage systems, or industrial applications, the THGAMRG9T23BAIL chip offers a mix of capacity, speed, and ease of integration that is hard to beat

Spezifikationen

Product Category	eMMC	Series	THGAM
Memory Size	64 GB	Configuration	TLC
Supply Voltage - Min	2.7 V	Supply Voltage - Max	3.6 V
Minimum Operating Temperature	- 25 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Moisture Sensitive	Yes	Mounting Style	SMD/SMT
Product	eMMC Flash Drive	Product Type	eMMC
Factory Pack Quantity	152	Subcategory	Memory & Data Storage
Unit Weight	0.005997 oz	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.51	JESD-30 Code	R-PBGA-B153
Length	13 mm	Memory Density	549755813888 bit
Memory IC Type	Embedded MMC	Memory Width	8
Number of Functions	1	Number of Terminals	153
Number of Words	68719476736 words	Number of Words Code	64000000000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-25 °C	Organization	64GX8
Seated Height-Max	0.8 mm	Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	3.3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.5 mm	Terminal Position	BOTTOM
Type	NAND TYPE	Width	11 mm

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