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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TXS0102DQMR +BOM

channel voltage level shifter in X2SON package

Hersteller:

Texas Instruments
Herstellerteil #:

TXS0102DQMR
Datenblatt:

TXS0102DQMR Datenblatt (PDF)
Technology Family:

TXS
Applications:

I2C, MDIO
Bits (#):

2
Data Rate (max) (MBps):

24
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TXS0102DQMR

TXS0102DQMR Allgemeine Beschreibung

To ensure reliable operation during power transitions, it is recommended to tie the OE input to GND through a pulldown resistor. This precaution helps maintain the high-impedance state of the I/Os during power-up or power-down sequences, preventing unintended signal interference or voltage mismatches. The minimum value of the pulldown resistor should be selected based on the current-sourcing capability of the driver to ensure proper functionality

Hauptmerkmale

Simplify complex processes
Streamline workflows seamlessly
Boost efficiency rapidly

Anwendung

Machine interface
Component interaction
Hardware adaptation

Spezifikationen

Technology family	TXS	Applications	I2C, MDIO
Bits (#)	2	Data rate (max) (MBps)	24
High input voltage (min) (V)	1.45	High input voltage (max) (V)	5.5
Vout (min) (V)	1.65	Vout (max) (V)	5.5
IOH (max) (mA)	0	IOL (max) (mA)	0
Supply current (max) (µA)	10	Features	Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation
Input type	Transmission Gate	Output type	3-State, Transmission Gate
Rating	Catalog	Operating temperature range (°C)	-40 to 85

Servicerichtlinien und andere

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Bewertungen und Rezensionen

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T**r 10.06.2023

Works well, i recommend.

E**a 07.23.2022

Good evening dear seller. I hasten to inform you that the goods have been received. Delay with confirmation. Lying in the hospital was a heart surgery. I apologize. With a make up,

M**n 09.16.2021

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