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750V, 18mOhm, 81A, SiC FET, CASCODE, G4, TO-247-4L, AEC-Q101, 175 Deg C
TO-247-4Hersteller:
Herstellerteil #:
UJ4C075018K4S
Datenblatt:
FET Type:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain To Source Voltage (Vdss):
750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
81A (Tc)
EDA/CAD Modelle:
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When it comes to power dissipation, the UJ4C075018K4S MOSFET excels with a rating of 385W, making it suitable for a wide range of applications where high power handling is required. Its single channel configuration simplifies circuit design, while the N-channel type ensures reliable performance. Whether you're designing power supplies, motor controls, or other high-power applications, this MOSFET delivers the performance and efficiency you need
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 81A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 20A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37.8 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1422 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 385W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | UJ4C075 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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UJ4SC075006K4S
Qorvo
SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package
UF3SC120009K4S
QORVO
1200V SiC FET featuring an On-Resistance of 8.6 milliohms
UF3SC065007K4S
Qorvo
Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability
UJ4C075018K3S
Qorvo
ROHS compliant 12V and 6V MOSFETs
UJ3C120040K3S
Qorvo
N-JFET/N-MOSFET with Silicon Carbide technology, featuring unipolar operation and cascode configuration, capable of handling 1