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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

UJ4SC075006K4S +BOM

SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

UJ4SC075006K4S
Datenblatt:

UJ4SC075006K4S Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain To Source Voltage (Vdss):

750 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

120A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

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UJ4SC075006K4S Allgemeine Beschreibung

N-Channel 750 V 120A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-247-4

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)	750 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.4mOhm @ 80A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	164 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8374 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max)	714W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	UJ4SC075

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Bewertungen und Rezensionen

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E**a 04.28.2024

Good price & fast shipping

Z**i 01.31.2023

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J**e 12.06.2020

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