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Siehe Technische Spezifikationen

UM2222AU3HZGT106 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor 40 V 600 mA 200 mW Surface Mount UMT3

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

UM2222AU3HZGT106
Datenblatt:

UM2222AU3HZGT106 Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Current - Collector (Ic) (Max):

600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 50mA, 500mA
EDA/CAD Modelle:

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UM2222AU3HZGT106 Allgemeine Beschreibung

Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power Transistor for Switching (AEC-Q101 Qualified) - UM2222AU3HZG is a transistor for audio frequency small signal amplifier.

Hauptmerkmale

BVCEO>40V(IC=10mA)
Complements the UM2907A HZG

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101
Current - Collector (Ic) (Max)	600 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V	Power - Max	200 mW
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UM2222

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