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Siehe Technische Spezifikationen

UMF8NTR +BOM

Digital transistor designed for high-reliability performance

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

UMF8NTR
Datenblatt:

UMF8NTR Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V, 15V
Resistor - Base (R1):

47kOhms
EDA/CAD Modelle:

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UMF8NTR Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 15V 100mA, 500mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased	Series	-
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V, 15V	Resistor - Base (R1)	47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250MHz	Power - Max	150mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	UMF8
Product Category:	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration:	Dual
Transistor Polarity:	NPN	Typical Input Resistor:	47 kOhms
Typical Resistor Ratio:	1	Mounting Style:	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min:	68	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	12 V
Continuous Collector Current:	100 mA, 500 mA	Peak DC Collector Current:	500 mA
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	UMF8N	Packaging:	MouseReel
Height:	0.9 mm	Length:	2 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Width:	1.25 mm
Part # Aliases:	UMF8N

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