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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

UM6K1NTN +BOM

Robust and reliable device for high-reliability applications requiring minimal component coun

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

UM6K1NTN
Datenblatt:

UM6K1NTN Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

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UM6K1NTN Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 100mA 150mW Surface Mount UMT6

Hauptmerkmale

1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package.
2) The MOS FET elements are independent, eliminating mutual interference.
3) Mounting cost and area can be cut in half.
4) Low On-resistance.
5) Low voltage drive (2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment.

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	100 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	800 mV
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	150 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	UM6K1N
Configuration	Dual	Fall Time	80 ns
Height	0.9 mm	Length	2 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	35 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel MOSFET
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	80 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Width	1.25 mm
Part # Aliases	UM6K1N	Unit Weight	0.000265 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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