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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

VEMT2520X01 +BOM

Silicon NPN Phototransistor

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

VEMT2520X01
Datenblatt:

VEMT2520X01 Datenblatt (PDF)
Product:

Phototransistors
Peak Wavelength:

850 nm
Maximum On-State Collector Current:

50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an VEMT2520X01

VEMT2520X01 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 850nm Top View 2-SMD, Gull Wing

Hauptmerkmale

Package type: surface mount

Package form: GW, RGW

Dimensions (L x W x H in mm): 2.3 x 2.3 x 2.8

AEC-Q101 qualified

High radiant sensitivity

Suitable for visible and near infrared radiation

Fast response times

Angle of half sensitivity: ϕ = ± 15°

Package matched with IR emitter series VSMB2000X01

Floor life: 4 weeks, MSL 2a, acc. J-STD-020

Lead (Pb)-free reflow soldering

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

Anwendung

oDetector in automotive applications
oPhoto interrupters
oMiniature switches
oCounters
oEncoders
oPosition sensors

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Product	Phototransistors
Peak Wavelength	850 nm	Maximum On-State Collector Current	50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	Collector-Emitter Breakdown Voltage	20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV	Dark Current	1 nA
Pd - Power Dissipation	100 mW	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 100 C	Series	VEMT
Qualification	AEC-Q101	Half Intensity Angle Degrees	15 deg
Light Current	6 mA	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	Phototransistors	Factory Pack Quantity	6000
Subcategory	Optical Detectors & Sensors	Type	Phototransistor
Wavelength	850 nm

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