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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

VEMT3700F-GS08 +BOM

Silicon NPN Phototransistor

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

VEMT3700F-GS08
Datenblatt:

VEMT3700F-GS08 Datenblatt (PDF)
Product:

Phototransistors
Peak Wavelength:

850 nm
Maximum On-State Collector Current:

50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

70 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an VEMT3700F-GS08

VEMT3700F-GS08 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 940nm Top View 2-LCC (J-Lead)

Hauptmerkmale

Long-term reliability tested
Durable product life expectancy ensured
Aging test protocols applied
Robustness and stability assured

Anwendung

Compact modules
Reliable switches
Accurate sensors

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Product	Phototransistors
Peak Wavelength	850 nm	Maximum On-State Collector Current	50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	70 V	Collector-Emitter Breakdown Voltage	70 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	150 mV	Dark Current	200 nA
Rise Time	6 us	Fall Time	2 us
Pd - Power Dissipation	100 mW	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 100 C	Series	VEMT
Half Intensity Angle Degrees	60 deg	Light Current	500 uA
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	1500	Subcategory	Optical Detectors & Sensors
Wavelength	940 nm	Unit Weight	0.434810 oz

Servicerichtlinien und andere

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