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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

VEMT4700F-GS08 +BOM

Silicon NPN Phototransistor

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

VEMT4700F-GS08
Datenblatt:

VEMT4700F-GS08 Datenblatt (PDF)
Maximum On-State Collector Current:

50 mA
Moisture Sensitive:

Yes
Factory Pack Quantity:

7500
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an VEMT4700F-GS08

VEMT4700F-GS08 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 3-SMD, J-Lead

Hauptmerkmale

Package type: surface mount

Package form: PLCC-3

Dimensions (L x W x H in mm): 3.5 x 2.8 x 1.75

High radiant sensitivity

Fast response times

Daylight blocking filter matched with 870 nm to 950 nm emitters

Angle of half sensitivity: ϕ = ± 60°

Base terminal connected

Package notch indicates collector

Package matched with IR emitter series VSML3710

Floor life: 4 weeks, MSL 2a, acc. J-STD-020

Lead (Pb)-free reflow soldering

Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

Anwendung

oPhoto interrupters
oMiniature switches
oCounters
oEncoders
oPosition sensors

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Maximum On-State Collector Current	50 mA
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	7500	Subcategory	Optical Detectors & Sensors

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