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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZVP2110A +BOM

P-channel MOSFET ZVP2110A with E-line package

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZVP2110A
Datenblatt:

ZVP2110A Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

ZVP2110A Allgemeine Beschreibung

Furthermore, this transistor has a maximum pulse current of 3A and operates at a current temperature of 25°C. The package is Through Hole termination type, providing a secure connection in circuit assemblies. The voltage specifications include a typical drain-source voltage of -100V, a maximum gate-source voltage of -3.5V, and a gate-source voltage for Rds on measurement of -10V

Hauptmerkmale

100 Volt VDS
RDS(on)=8Ω

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	78 Weeks
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	0.23 A	Drain-source On Resistance-Max	8 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	10 pF
JESD-30 Code	O-PBCY-W3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.7 W	Qualification Status	Not Qualified
Reference Standard	CECC	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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